工研院與英特爾(Intel)簽署新架構記憶體合作協議，可望振興台灣記憶體產業。為解決未來高運算量行動裝置記憶體與中央處理器(CPU)資料傳輸所造成的大量能源消耗，英特爾與經濟部和工研院合作，開發下世代記憶體技術，除因應市場需求變化外，未來此新記憶體研發成果，亦有助強化台灣記憶體製造商的競爭力。
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| 左起為工研院資訊與通訊研究所所長吳誠文、經濟部技術處處長吳明機、英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner |
經濟部技術處處長吳明機表示，英特爾與工研院的新世代記憶體研發，在未來3～5年內，勢必可展現成果，屆時台灣記憶體相關業者也可第一時間獲得最新的記憶體與CPU的三維(3D)堆疊，以及更高效能、更節能的記憶體研發技術，進一步拉抬台灣廠商在全球記憶體市場地位。
未來可攜式裝置，尤其手機、平板裝置(Tablet Device)，所須處理的資料量將持續暴增，記憶體與中央處理器之間的大量資料傳遞將成為耗電最高的部分，因此全球皆致力於解決此問題，並冀望透過3D矽穿孔(TSV)堆疊方式將記憶體與CPU之間的距離縮短，再利用不同於以往的全新記憶體架構，提高記憶體的傳輸速率、容量與效能。
工研院資訊與通訊研究所所長吳誠文指出，新的記憶體架構可滿足未來行動裝置所需，且工研院可主導新世代記憶體的專利授權，對台灣廠商而言將是極大的優勢。若台灣IC或記憶體製造商也能在研發階段加入此合作計畫，更可掌握最新的記憶體技術發展動態，擺脫以往技術落後其他記憶體大廠的情況。
針對三方合作的內容，英特爾副總裁暨技術長Justin Rattner表示，未來英特爾、工研院與經濟部將於5年內各投注500萬美元資金；英特爾還將提供CPU與現有的記憶體技術；而工研院則進行新記憶體架構與3D堆疊技術的研發，以達成記憶體、CPU資料傳遞速度與耗電的最佳平衡，並簡化設計，使下游記憶體製造商更易進行新世代記憶體的製造。
